%0 Journal Article %A 王 莹 %A 刘静波 %A 邢 杰 %A 李幸芳 %A 殷涌光 %T 高压脉冲电场对抗氧化肽荧光特性的影响 %D 2017 %R 10.7506/spkx1002-6630-201703009 %J 食品科学 %P 53-58 %V 38 %N 3 %X 以前期研究所得的Gln-Trp-Phe-Met(QWFM,652.78)和Lys-Trp-Phe-Met(KWFM,610.78)抗氧化四肽为研究对象,探究高压脉冲电场技术(pulsed electric field,PEF)对抗氧化肽荧光特性的改变。研究表明,在PEF作用下QWFM和KWFM的荧光强度发生了不同程度的改变,由于两条结构相似的抗氧化四肽中色氨酸前端所连接的氨基酸不同,在相同的PEF处理条件下,QWFM的荧光强度变化更为显著,在电场频率为1 800 Hz和电场强度为15 kV/cm时,其荧光强度变化最显著。通过监测经PEF处理后2 h抗氧化四肽荧光强度的变化,发现抗氧化四肽荧光强度的变化随着时间的延长而逐渐减弱。通过圆二色谱分析和核磁共振波谱技术分析发现维持QWFM中β-折叠的氢键含量有所改变从而导致了β-折叠结构的含量有所减少。这些变化表明PEF技术可能通过改变抗氧化肽的化学结构而改变其荧光特性,为PEF技术应用于抗氧化肽的研究提供了理论基础。 %U https://www.spkx.net.cn/CN/10.7506/spkx1002-6630-201703009